相较于其他金属阳极（如Ti、下戏P行Ta），铜更易于离化，自离化的等离子体状况最为安稳，且离化率最高。
这种办法在长时间的实践中展现出高效切开很多晶圆的才能，架歹能够满意大规模出产的需求最顶层的SiO2层则首要起到阻隔光刻胶（PR）层与金属硬掩模层的作用，意游避免它们直触摸摸，并具有杰出的黏附功能。
这一进程中，提醒需求保证蚀刻穿透阻挠层，使触摸孔（CT）中的钨（W）露出出来，以便与后续的M1层完结电气衔接。此快速镀Ta进程的中心意图在于维护双大马士革工艺的边角完好性，杂乱特别是针对那些在刻蚀进程中或许遭受腐蚀而变薄的区域，杂乱然后增强工艺的全体可靠性与器材的安稳性。相反，网络若种子层过薄，侧壁掩盖缺乏，载流功能将大打折扣，电镀进程中易构成缺点，影响互连线的安稳性。
图24：犯罪阻挠层刻蚀(3)接着再次堆积BD/TEOS（四乙基正硅酸酯，一种常用的介质资料）/TiN（氮化钛，常用于硬掩模或分散阻挠层）/SiO2层，如图25所示。SiO2是常用的磨料，下戏P行其粒径小且在不同条件下具有杰出的悬浮性，研磨后可获得杰出的外表状况。
为处理这一问题，架歹反溅射技能被引进，架歹运用氩离子在衬底偏压作用下溅射刻蚀，将底部剩余的阻挠层资料反溅射至侧壁，完结堆积厚度的从头散布，既减薄了底部堆积，又增厚了侧壁堆积，然后改进了阻挠层的均匀性并下降了触摸电阻。
不过Ru在化学机械抛光（CMP）进程中存在应战，意游如在酸性条件下抛光会发生有毒的RuO气体，意游而在碱性条件下抛光速率较慢，且易于构成缺点，然后影响器材的可靠性。到现在，提醒该集合区集合了光电子企业30余家，产量超越9亿元，完成了铜川半导体集成电路工业从无到有的蝶变。
2024年10月22日，杂乱省科技厅又面向第二批发动的集合区搜集四链交融项目，有力推进各类立异要素在集合区的集聚。2月5日，网络记者从省科技厅了解到，2024年以来，陕西批复建造了一批像秦创原机器人工业立异集合区这样的集合区。
秦创原电子显现工业立异集合区共引入6家科技效果转化企业和10家工业类企业，犯罪总投资30亿元。2024年8月，下戏P行省科技厅批复赞同铜川市建造省级秦创原先进激光与光电集成工业立异集合区。